晶体管 13001 (MJE13001) 是一种采用平面外延技术制造的硅三极管。它具有 N-P-N 结构。它指的是中等功率的设备。大部分由位于东南亚的工厂生产，并用于同一地区制造的电子设备。
主要技术特点
三极管13001的主要特点是：
- 高工作电压（基极 - 集电极 - 700 伏，集电极 - 发射极 - 400 伏，根据某些消息来源 - 高达 480 伏）；
- 短开关时间（电流上升时间 tr=0.7微秒，衰减时间tF= 0.6 μs，均在 0.1 mA 的集电极电流下测量）；
- 工作温度高（高达 +150 °C）；
- 高功耗（高达 1 W）；
- 低集电极-发射极饱和电压。
最后一个参数在两种模式下声明：
| 集电极电流，毫安 | 基极电流，毫安 | 集电极-发射极饱和电压，V |
|---|---|---|
| 50 | 10 | 0,5 |
| 120 | 40 | 1 |
另外一个优势是，制造商声称 晶体管 有害物质（RoHS 合规性）。
重要的！ 在不同制造商的 13001 系列晶体管的数据表中，半导体器件的特性不同，因此可能存在一些差异（通常在 20% 以内）。
其他对操作重要的参数：
- 最大持续基极电流为 100 mA；
- 最大脉冲基极电流 - 200 mA；
- 180 mA 集电极电流限制；
- 最大集电极脉冲电流 - 360 mA；
- 最大基极-发射极电压 - 9 伏；
- 存储时间 - 从 0.9 到 1.8 μs（在 0.1 mA 集电极电流下）；
- 基极-发射极饱和电压（基极电流为 100 mA，集电极电流为 200 mA） - 不超过 1.2 伏；
- 最大工作频率 - 5 MHz。
不同模式的静态电流传递系数在以下范围内说明：
| 集电极-发射极电压，V | 集电极电流，毫安 | 获得 | |
|---|---|---|---|
| 最小的 | 最高 | ||
| 5 | 1 | 7 | |
| 5 | 250 | 5 | |
| 20 | 20 | 10 | 40 |
所有规格均在 +25 °C 的环境温度下声明。该晶体管可在负 60 至 +150 °C 的环境温度下储存。
外壳和键控
13001 晶体管采用柔性引入塑料封装，用于真正的孔安装技术：
- TO-92；
- TO-126。
SMD 封装也可提供：
- SOT-89;
- SOT-23。
SMD封装的晶体管标有字母H01A、H01C。
重要的！ 不同制造商的晶体管可能带有前缀 MJE31001、TS31001 或没有前缀。由于封装空间不足，通常未指定前缀，并且此类设备可能具有不同的引脚排列。如果有不明来源的晶体管，最好用一个明确的引脚位置 万用表 或用于检查晶体管的设备。
国内外同类产品
直接模拟 晶体管 13001 俄罗斯硅三极管命名法中没有直接的类比，但对于中等操作模式，您可以使用表中 N-P-N 结构的硅半导体器件。
| 晶体管类型 | 最高功耗，W | 集电极-基极电压，伏特 | 基极 - 发射极电压，伏特 | 边缘频率，MHz | 最高集电极电流，mA | H FE |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KT538A | 0,8 | 600 | 400 | 4 | 500 | 5 |
| KT506A | 0,7 | 800 | 800 | 17 | 2000 | 30 |
| KT506B | 0,8 | 600 | 600 | 17 | 2000 | 30 |
| КТ8270A | 0,7 | 600 | 400 | 4 | 500 | 10 |
对于接近最大值的模式，有必要仔细选择模拟，以便参数允许在特定电路中操作晶体管。还需要澄清设备的引脚排列 - 它可能与 13001 的引脚排列不一致，这可能会导致板上安装出现问题（尤其是 SMD 版本）。
至于国外的类比，同样的高压但功率更大的硅N-P-N晶体管适合替代：
- (MJE)13002;
- (MJE)13003;
- (MJE)13005;
- (MJE)13007;
- (MJE)13009。
它们与 13001 的区别主要在于集电极电流增加和半导体器件可以消耗的功率增加，但外壳和引脚布局也可能有所不同。
在每种情况下，都需要检查引脚排列。在许多情况下，LB120 晶体管、SI622 等都可以解决问题，但您必须仔细比较具体特性。
例如，LB120 的集电极-发射极电压相同，为 400 伏，但基极和发射极之间的电压不能超过 6 伏。与 13001 的 1 W 相比，它还具有 0.8 W 的稍低的最大功耗。在决定用另一个半导体器件替换一个半导体器件时必须考虑到这一点。同样适用于N-P-N结构的更高功率、更高电压的国产硅晶体管：
| 国产晶体管型 | 最高集电极-发射极电压，V | 最大集电极电流，mA | H21э | 案子 |
|---|---|---|---|---|
| KT8121A | 400 | 4000 | <60 | KT28 |
| KT8126A | 400 | 8000 | >8 | KT28 |
| KT8137A | 400 | 1500 | 8..40 | KT27 |
| KT8170A | 400 | 1500 | 8..40 | KT27 |
| KT8170A | 400 | 1500 | 8..40 | KT27 |
| KT8259A | 400 | 4000 | 最多 60 | TO-220, TO-263 |
| KT8259A | 400 | 8000 | 最多 60 | TO-220, TO-263 |
| KT8260A | 400 | 12000 | 最多 60 | TO-220, TO-263 |
| KT8270 | 400 | 5000 | <90 | KT27 |
它们在功能上取代了 13001 系列器件，功率更大（有时工作电压更高），但引脚分配和外壳尺寸可能不同。
13001晶体管的应用
13001 系列晶体管专为作为关键（开关）元件的低功率转换器应用而设计。
- 移动设备电源适配器；
- 用于小功率荧光灯的电子镇流器；
- 电子变压器；
- 其他脉冲装置。
使用 13001 晶体管作为晶体管键没有主要限制。在不需要特殊放大的情况下，也可以在低频放大器中使用这些半导体（13001 系列的电流传输比按现代标准来说很小），但在这些情况下，这些晶体管的工作电压和它们的参数相当高没有实现高速响应。
在这些情况下，最好使用更常见和更便宜的晶体管类型。此外，在构建放大器时，我们必须记住缺少晶体管 31001 的互补对，因此推挽级联的组织可能存在问题。
该图显示了在便携式电池充电器中使用晶体管 13001 的典型示例。包括一个硅三极管作为关键元件，它在变压器 TP1 的初级绕组上形成脉冲。它以较大的裕量承受全整流线路电压，并且不需要额外的电路措施。
焊接晶体管时，必须注意避免不必要的热量。理想的温度曲线如图所示，包括三个步骤：
- 预热阶段持续约 2 分钟，在此期间晶体管从 25 度加热到 125 度；
- 实际焊接持续约5秒，最高温度255度；
- 最后阶段是以每秒 2 到 10 度的速度除冰。
这个时间表在家里或车间很难遵循，在拆卸和组装单个晶体管时并不那么重要。最主要的是不要超过最高允许焊接温度。
晶体管 13001 以相当可靠的产品而闻名，在不超过既定限制的工作条件下，可以持续很长时间而不会出现故障。
相关文章：
